ddr2和ddr3的插槽不一样。ddr2和ddr3是两代不同的内存条，DDR2和DDR3内存模块的插槽是不兼容的，它们具有不同的物理接口。无法将DDR3内存模块插入DDR2插槽中，反之亦然。而且DDR3内存比DDR2内存工作时的电压更低。DDR2内存通常使用1.8伏特的电压，而DDR3内存通常使用1.5伏特的电压。这种降低的电压有助于降低功耗和热量产生。

ddr2和ddr3的注意区别：

1、逻辑Bank数量。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装。由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

3、突发长度。由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

4、寻址时序。就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。—写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。