mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。mosfet是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其通道（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

MOSFET的输入端接高电平或低电平（通常为高电平），在电流Ib流过MOSFET时会产生压降Vce，这个压降的大小由P型和N型二极管的正向导通角大小来决定。当Vce大于Vbe时，P型的沟槽导通而形成电流Ic；当Vce小于Vbe时，N型的沟槽导通而形成电流Ie。由于P和N二极管的正向电阻很小（一般小于1KΩ），所以通过这两只管子形成的电流（一般在10A以下）。

MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。

功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。目前，功率MOSFET的指标达到耐压600V、电流70A、工作频率100kHz的水平，在开关电源、办公设备、中小功率电机调速中得到广泛的应用，使功率变换装置实现高效率和小型化。

自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“LittleFoot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。

功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。

功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：

1、MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单。

2、输入阻抗高，可达108Ω以上。

3、工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小。

4、有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作Hi-Fi音响。

5、功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。